薄膜沉积(如CVD/ALD)是半导体制造的核心工艺之一,需定期使用NF₃清洁腔室以去除沉积物。精确控制清洁终点至关重要:
传统方法依赖经验时间控制,但实际最佳清洁时间受沉积厚度、温度、压力等因素影响,且参数可能漂移。因此,多数工艺会延长清洁时间以确保彻底清洁,但造成资源浪费。
Johnson等(2004)提出通过监测SiF₄分压确定清洁终点。红外气体传感器因其高实时性和可靠性,已成为主流检测手段。
NF₃与沉积物反应生成SiF₄气体,其分压变化可反映清洁状态:
四方仪器作为国际领先的红外气体传感器制造商,针对薄膜沉积设备清洁终点检测需求,推出SiF₄、WF6红外气体传感器。