薄膜沉积（如CVD/ALD）是半导体制造的核心工艺之一，需定期使用NF₃清洁腔室以去除沉积物。精确控制清洁终点至关重要：
传统方法依赖经验时间控制，但实际最佳清洁时间受沉积厚度、温度、压力等因素影响，且参数可能漂移。因此，多数工艺会延长清洁时间以确保彻底清洁，但造成资源浪费。Johnson等（2004）提出通过监测SiF₄分压确定清洁终点。红外气体传感器因其高实时性和可靠性，已成为主流检测手段。
在半导体制造过程中，氧污染会引发不必要的氧化反应，导致集成电路和硅片产生缺陷，进而破坏薄膜结构的完整性，严重影响产品的均匀性与可靠性。因此，半导体制造商必须对工艺气体及设备腔室中的氧含量进行严格监控，即便是微量氧气（低至ppm级）也可能显著损害元件性能。
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